T005764　半导体器件物理与工艺

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[美]A．S．格罗夫著。

齐建译。科学出版社1976年3月版。

25．9万字。

关于硅平面器件工艺和物理方面的参考书。共12章，分为3篇。内容为：平面器件的基本制作工艺(包括外延、氧化、扩散等)的机理、半导体物理和器件物理的基础知识，以及半导体器件研制、生产中较为重要的“表面”问题，包括表面的一般理论、硅－二氧化硅系统的性质、表面对PN结的影响，以及表面场效应晶体管的有关知识。