单晶拉制法一种使液相硅在控制条件下生长固相单晶硅的方法。又称“单晶直拉法”。一般先将多晶硅装入石英坩埚加热熔化，再用一小块该物质的单晶作籽晶，装在拉杆下端与熔融硅接触，使熔融硅以籽晶为结晶中心，并沿籽晶的结晶方向生长出完整的单晶体。这样做的目的是为了通过控制掺杂获得具有一定电阻率和完整晶格的单晶硅。迄今为止，单晶直拉法仍是制备硅、锗及化合物半导体单晶的主要方法。20世纪末，在全世界每年生产的半导体硅材料中，直拉(CZ)单晶仍占85%以上，其余为区熔(FZ)单晶。 单晶拉制法又称“单晶直拉法”，从熔体中制备单晶体的一种方法。所用的主要设备为单晶炉。一般先使物质在炉中熔化成熔体，再用一小块该物质的单晶体作为籽晶，装在拉杆的下端，使其与熔体表面接触。为使预制的单晶体有一定的结晶学取向，常使籽晶的这一晶面与熔体表面平行。籽晶随拉杆以一定速度垂直向上提升并严格控制熔体温度，由于结晶学的共格性，熔体就在籽晶下凝结成为所需的大块单晶体。 |