赵寿南

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【介绍】：

教授。

男，1937年9月出生，湖北武汉人。华南理工大学应用物理系教师。国家机电部高校教材编审委员会委员，广东省电子学会常务理事，中国电子学会高级会员。清华大学半导体专业毕业。

主要贡献：长期从事半导体科学技术的研究工作。1982～1983年公派赴美国加州大学、佐治亚大学留学和进修，1990～1991年应邀去美国新泽西理工学院从事半导体与微电子技术领域合作科研。参加红外光弹法研究硅单晶主应力分布，获广东省人民政府自然科学三等奖。1986～1989年负责完成半导体硅单晶应力的研究，属国家自然科学基金资助项目，经国家教委会科技成果鉴定，居国内领先地位，达国际先进水平。

1989～1991年完成硅器件扩散工艺中的应力研究。

1992年起主持无应力硅器件的研究。

主要著述：发表研究论文20多篇，其中与人合作撰写的《硅单晶应力自动检测系统》，获广州市科协优秀科技论文三等奖；与人合作撰写的《浓磷扩散工艺中硅晶片应力的红外光弹测量》，获广东省电子科技优秀论文二等奖；与人合撰的《汽相生长cdTe单晶的极性》、《红外光弹法研究硅单晶主应力分布》、《硅单晶与晶片应力的光弹性测量与研究》、《氧化硅片应力的红外光弹法的测量及研究》、《THERMID聚酰亚胺的电学与光学性质》、《硅晶片的二维应力状态》，在美国、英国、荷兰等国的学术刊物上登载。