硅太阳能电池

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借助于半导体材料的p-n结把太阳能直接转换成电能的装置。

在1954年由查宾等人研制成功，它由两层高纯度单晶硅所组成，两者构成一个大的扁平半导体二极管，电接点做在上表面和底表面上。接点通常为金属，真空沉积或烧结在硅表面上，亦可镀上。太阳照射面为n型掺杂而下表面为p型(p上n)的电池，其耐照射衰退性能优于n上p型电池，因此是占主导地位的电池类型。但n上p型电池一般效率较高。

目前，在各种太阳能电池中以硅太阳能电池为最多。硅太阳能电池的光电转换效率一般为13～17%。

主要缺点是造价高、效率低，尚不宜用作大型地面发电设备。