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【介绍】：
高级工程师。
男，1939年10月出生，广东南海人。广州半导体材料厂新产品试制组长。毕业于中山大学物理系。
主要贡献：参加可关断可控(即GTO)和逆导通可控硅研制工作；完成了3CT500A／1800V攻关任务；造出一批3CT500A／1500－2000V的元件。1974～1975年先后试制成功3CT1000A／1000V、ZP1000A／1000V元件，并投入批量生产。1976年试制成功KK200A／1000V快速可控元件。
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