半导体材料

电阻率介于金属导体和绝缘体之间，具有特殊光、电特性的高科技材料。这类材料的性能可通过提纯、掺杂和改变深能级缺陷等方法加以控制。半导体材料按组成可分为元素半导体和化合物半导体两大类。元素半导体的种类不多，化合物半导体则有600多种。在工业上得到应用的元素半导体主要有硅、锗、硒3种，化合物半导体则有砷化镓、磷化镓、磷化铟等多种。人类研究半导体始于1833年。第二次世界大战期间，半导体材料的应用受到了重视。1947年，晶体管的发明促进了半导体材料科学与技术的发展。1950年首次用直拉法制备出锗、硅单晶，1952年发明了区域提纯法。这两者为半导体工业发展奠定了基础。首先，锗半导体材料得到了推广应用；其后，开始了硅半导体材料的时代，发展至今方兴未艾。20世纪末，世界上生产的半导体器件有95%以上是硅材料制成的。随着半导体科学技术发展，硅半导体材料和砷化镓为主的化合物半导体材料的生产技术日益成熟，产品质量不断提高，从而促进了集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路及功率元件等的发展，使得现代微波通讯、光通讯、光电元件、计算机及各种仪器，仪表显示装置等快速发展。

半导体材料

介于导体和非导体之间的一种材料，是半导体工业的物质基础，从材料的化学成份和构造来看，自然界中具有半导体性质的物质大致可分为以下几类：
元素半导体。这种半导体从化学成份看是由单一元素构成的，如锗、硅、硒、硼、碲、锑等，其中硅和锗是半导体器件和集成电路的主要材料。锗是稀有元素，资源较少，在五十年代，锗是半导体器件的主要材料，到六十年代后期，硅材料逐渐取代了锗而在半导体工业中占主要地位。
硅是最关键的半导体材料，现在世界年产量近3000吨。由于大规模集成电路的高速发展，近年来单晶硅向大直径、高纯度、高均匀性、无缺陷方向发展。集成电路用的硅片的尺寸愈大，材料的有效利用率、电路的成品率和劳动生产率就愈高，从而能大幅度地降低成本。目前世界上硅片正向直径150毫米(6英寸)发展。
半导体材料中，还有一类是化合物半导体。如砷化镓，它是可用于高速电子计算机、微波通信、光纤通信、太阳能发电的性能优越的材料，有可能继锗和硅之后成为第三代半导体材料。用砷化镓做计算机可提高运算速度十倍以上，耗电量仅为硅的十分之一。日本在世界上首先研制成功了直径为65毫米、无位错缺陷的均一砷化镓单晶，并制成了器件，为研制高速运算电子计算机创造了条件，成为第五代计算机最有希望的一种材料。
此外，还有无定形半导体，如玻璃半导体、有机半导体等。