T005785 离子注入物理
罗晋生主编。 上海科学技术出版社1984年10月版。17．3万字。高校教材。 从半导体器件工艺角度，讲授离子注入技术的装置、原理、各种物理现象、测量技术及应用。 离子注入技术是门高新技术，70年代开始移植到半导体器件生产上，取得明显效果，现已成为器件生产的常规工艺手段，不仅加速微电子技术的发展，还形成科学和技术相互结合的离子注入物理这门新学科。本书分6章：第一章介绍离子注入装置；第二章讲授离子注入的基本理论，重点介绍离子注入非晶固体靶中射程分布理论及单晶靶中的沟道效应；第三和第四章分析与器件工艺有关的各种物理现象和效应，著重分析离子注入半导体及固体中损伤问题和各种退火方法、化合物半导体注入离子问题；第五章叙述离子注入后各种基本参数测量方法和原理；第六章介绍离子注入技术在半导体器件方面的应用。 书中综合离子注入物理的理论研究成果，但对理论未作深入探讨，重点放在理论的运用。 |