彭少麒
【介绍】： 教授。 男，1932年12月出生，广东中山人。中山大学物理系教授。 中国物理学会非晶态专业委员会委员，中国电子学会广东分会半导体与集成技术学会委员，汕头大学兼职教授。中山大学毕业。 主要贡献：从事高等教育及科学研究工作38年。在50年代中期，创建半导体专门化。 在杂质扩散、表面与界面等方面完成多项应用基础研究项目。主要从事非晶半导体研究。 曾以访问学者身份在美国芝加哥大学与H，Fritgsche教授(非晶半导体学术奠基人之一)进行合作研究。多次出席国际会议，宣读论文。 主要科研成果有“表面氧化物对非晶硅输运特性的影响”(1983年)、“研究非晶硅隙态密度的新方法——内光发射瞬态电流温度谱”(1985年)、“非晶硅的横向光生伏特效应”(1987年)、“类金刚石薄膜的离子注入研究”(1990、1992年)。承担“七五”国家重点科技攻关课题“非晶硅材料”(子课题：非晶硅太阳电池器件物理)及国家自然科学基金重大课题“非晶半导体若干前沿物理问题”(1990～1993年)，均取得成果。 其中“非晶硅光位置敏感器”获发明专利(1989年)。在国内外学术刊物上发表学术论文40余篇。 |