居全国之首的“MOS”试剂

80年代，中国微电子工业进入大规模集成电路阶段，要求试剂行业提供无尘、超净试剂(即“MOS”试剂)。1983年，天津市化学试剂三厂兴建超净车间，其生产和包装部位超净环境达10000级水平，其核心部位达100级水平；引进美国具有杀菌和紫外照射功能的纯水制造设备，其产出的纯水水质达18兆欧姆；在生产工艺上采用恒沸精溜方法进行分离杂质，选用微膜过滤，将0.5毫米尘埃滤除，并用液体颗粒计数器控制尘埃个数，使产品达到“MOS”标准；在检测装置方面采用等离子光谱和石墨炉无焰原子吸收光谱法测得“PPb”级杂质，保证产品质量。1989年，化工部对北京、上海、天津三市“MOS”试剂抽查，天津有18种产品获得化工部优质奖。之后，天津对“MOS”生产工艺及设备进行技术改造，年产量由原设计能力50吨增加到150吨，居全国之首。