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碳化硅
制法
按配比将全部物料混合,装入电弧炉里加温合成,加热至1700~1900℃时,保温1h,使其生成中间产物SiO或SiCO,然后升温至1900~2000℃,进一步还原成SiC,最终得到的是α-SiC和β-SiC的混合物。
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