王守武

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【介绍】：

中国科学院学部委员。

电子学家。男，1919年3月出生，江苏苏州人。曾任中国科学院半导体研究所研究员、副所长，109厂厂长。1979年被评为全国劳动模范。

1941年同济大学机电系毕业；1946年在美国普渡大学研究生院工程力学系获硕士学位、1949年获博士学位。

主要贡献：对我国半导体研究与开发进行了开创性的工作，做出了重大贡献。

研制成功了我国第一批锗合金管和合金扩散管，筹建了我国较早的一个晶体管工厂，为我国的半导体材料参数测试奠定了基础。研究用国产工艺设备和原材料，提高大规模集成电路的成品率，解决了许多技术上的难题，在短期内把N沟MOS₄₀₉₆位RAM存贮器的管芯的成品率从小于1%提高到平均28%。

主要著述：有《半导体的电子生伏打效应的理论》；《关于PN合金结中少数载流子的注射理论》；《用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命》；《有关寿命测量和表面复合速度测量新方法》；《砷化镓PN结的受激发射的光谱特性》；《平面GUNN器件中的雪崩驰豫振荡》；《低固值GaAs／GaA／AsPNPN负阻激光器》等。