非晶硅太阳电池

1979年，天津市十八所开始研制非晶硅太阳电池。次年，南开大学孙钟林、李长健研制成功非晶硅—铜肖特基结太阳电池。1981年，非晶硅太阳电池列入国家“六五”攻关项目，南开大学承担并开展非晶硅基础性研究。其成果在同年召开第九界非晶硅与液体国际会议上，引起学术界关注。1982年，孙钟林、韩茂畴等又研制出非晶硅—铂肖特基结电池，效率4.6%，于1983年在澳大利亚召开的国际太阳能年会上公布了此研究成果。韩茂畴、熊绍珍等研制出小面积(0.23平方厘米)电池，效率接近8%，居当时国际领先地位。1986年，十八所胡宏勋、张德群等研制出以钼为衬底的小面积P-I-N电池，效率超过9%，为当时国内最高水平。1990年3月，孟志国、耿新华等在100×100平方厘米面积上研制出效率为8.55%的电池。同年11月，被国际权威组织美国太阳能研究所在第五届国际光伏会议上公布，占世界第九位。1990年11月，孙云、王广才，制成20×20平方厘米大面积单结电池，效率7.88%，达到80年代末国际先进水平。次年，获国家科委、计委、财政部颁发的“七五”攻关项目重大科技成果奖。

非晶硅太阳电池

amorphous silicon solar cell