霍耳效应huoer xiaoying

将载流导体放置于与其电流I垂直的匀强磁场中，在垂直于I和B的方向上将出现横向电势差的现象。这一现象是美国物理学家霍耳于1879年首先发现的，故称霍耳效应。出现的电势差叫做霍耳电势差（或霍耳电压）。根据实验测定，霍耳电压的大小与电流I成正比，与磁感应强度B成正比，与导体的厚度h（见图）成反比，即

式中RH叫霍耳系数，它与载流子（作定向运动的带电粒子）的正负及浓度有关，RH=_l/nq。霍耳效应可用洛伦兹力进行解释。保持I、B的方向不变，当载流子q>0时，U>0；当载流子q<0时，U<0，霍耳电压与载流子的正负有关。
霍耳效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如，由RH的正负，即U的正负，可确定载流子的正负，从而可确定是N型还是P型半导体；又如通过实验测出RH，可得出载流子的浓度n。一般说来，金属和电解质的霍耳效应都很小，而半导体则较显著。利用半导体的霍耳效应可以制成测量磁场的磁强计。用霍耳元件可测量直流和交流电路中的电流强度和功率，可把直流电流转换成交流电流开对它进行调制，以及放大直流或交流讯号等。霍耳元件结构简单使用方便。成本低廉，所以在实际中被广泛应用。

霍耳效应

当电流垂直于外磁场方向通过导体或半导体薄片时，则在与电流和磁场二者垂直方向上，物体两侧产生电势差的现象。用于测量技术、电子技术和自动化等方面。

霍耳效应

Hall effect