第一颗实用直拉硅单晶

1959年9月15日，四十六所利用直拉法拉制出中国第一颗实用直拉硅单晶，直径9毫米，电阻率5欧·厘米。1962年，在低真空下拉单晶成功，并建立直拉硅单晶工艺。1963年后，相继研究制作整流器用高阻掺杂硅单晶、制作晶体管和集成电路用掺杂硅单晶、用于外延基片的重掺硅单晶、制作光电器件、双极器件、金属—氧化物—硅(MOS)器件、注入逻辑电路及大规模集成电路用大直径直拉硅单晶等。1968年，市半导体材料厂刘德琴、高胜利等通过对退火技术，选择适合温度，控制拉速，成功拉制出直径30～40毫米的重掺金属硅单晶。1969年，四十六所采用快速生长，加大温度梯度，生长晶向有一定偏角等方式，拉制出鼓棱无位错硅单晶。1972年，市半导体材料厂吕鸣山等设计制造成功使氩气纯度达五个“9”、露点低于—70℃的气体纯化装置。1980年后，四十六所采用MF—40超净过虑、钙钛混床单级提纯和直拉硅单晶负压制备中氩气回收技术，使氩气纯度达六个“9”，回收率达80%，填补国内氩气净化和回收技术空白。1990年研制出氧可控大直径样品重掺体硅单晶样品，电阻率达10^-3欧·厘米。