字词 | 抑制性突触后电位 |
类别 | 中英文字词句释义及详细解析 |
释义 | 抑制性突触后电位inhibitory postsynaptic potential,IPSP生物电的一种。表现为突触后膜局部超极化和兴奋性降低,使信息通过突触传递受到抑制。由于这种抑制产生在突触后膜,故称为突触后抑制。当突触前神经元的动作电位到达神经末梢时,引起突触前膜释放抑制性递质,递质作用于突触后膜受体又引起后膜的超极化和兴奋性降低。IPSP的大小与突触前末梢释放的抑制性递质的量有关。 抑制性突触后电位inhibitory postsynaptic potential, IPSP系抑制性突触兴奋时,突触后膜发生的超极化变化。抑制性突触兴奋时,突触小体释放抑制性递质,与突触后膜上特异的受体结合,引起突触后膜对Cl-等小离子的通透性增加,Cl-由细胞外进入到细胞内,引起突触后膜超极化,产生抑制性突触后电位。通过抑制性突触使突触后神经元的活动受到抑制。抑制性突触多见于拮抗中枢间的神经元联系。 抑制性突触后电位inhibitory postsynaptic potential是细胞体的突触后膜出现的超极化现象,即膜内、外电位差值增大,超过静息时膜电位的数值。 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位inhibitory postsynaptic potential发生在突触后膜上,引起细胞膜电位朝着超极化方向发展的局部电位变化。即当突触前神经元轴突末梢兴奋时,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,提高了突触后膜的对钾离子的和氯离子,特别是氯离子的通透性。使突触后膜电位增高,即产生抑制性突触后电位。 ☚ 兴奋性突触后电位 脑定位 ☛ |
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