外延生长法

在单晶衬底上（也有在绝缘体或其他材料上）以气相沉积方式再生长一层单晶薄片的方法。由于此法现已能制备出质量优良的大直径单晶外延片，从而促成了处延片需求的快速增长。1996年，世界生产的8 in(1in=2.54cm)硅片，外延片仅占14.2%,1998年却达到了23.2%。20世纪末，外延片价格为抛光片（用直拉单晶或区熔单晶制成的抛光硅片）的1.6～1.7倍。价格过高，不利于外延片需求的增长，随着科学技术的进步，外延片的生产成本终会进一步降低。预计到那时，外延片的市场需求还会有幅度更大的增长。