半导体bàndǎotǐ导电性能介于导体和绝缘体之间的物质；特指半导体收音机。 半导体bàndǎotǐ导电性能介于导体与绝缘体之间的物质。一般为固体状态，具有单向导电等特性。例如：“北京制成半导体发电器。”(《文汇报》1958.4.3)“这位年逾半百的著名半导体物理学家展望说，在院内外、所内外的协作配合下，我国半导体科学技术将要迈出大步前进。”(《人民日报》1978.1.2)
又指用半导体元件制造的半导体收音机。例如：“这些展品里有提前三个季度试制成功的半导体收音机。”(《文汇报》1958.4.2)“她的生活太清苦，那小屋里，连个半导体都没有。” (《小说界》 1985.2.101页) 半导体bàn dǎo tǐ导电能力在导体和绝缘体之间的物质。1945年《电机工程名词·电讯部》：“Semi-conductor;(Partial conductor)，畸性（光电）导体，半导体。”1955年2月《无线电》第2期：“半导体是比阻数值介于金属和绝缘体之间的固体的统称。” 半导体 半导体bandaoti导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，如锗、硅以及某些化合物。锗和硅为四价元素，它们的原子外层都有四个价电子，每个原子受邻近四个原子的束缚，组成四个共价键，共价键象纽带一样将排列整齐的原子联结起来。锗、硅等半导体材料都是晶体结构，一块晶体由许多小的晶体粒组成，晶粒内原子有规律地排列起来。若整块晶体每个晶粒的取向彼此不同，则这种晶体称为多晶体。用以做成半导体管的必须是单晶体。不含杂质而且结构非常完整的半导体单晶叫做本征半导体。本征半导体在极低温度下，由于共价键的束缚，价电子无法摆脱这种束缚，因而几乎不导电。但在室温条件下，束缚电子受热激发获得足够的能量，少量价电子摆脱束缚，脱离共价键形成自由电子，同时在原来共价键的位置上留下一个空位，叫空穴，形成电子一空穴对。当给予本征半导体两端加上电压，自由电子跑向正极，空穴跑向负极，从而形成电流。外电路的电流是电子电流和空穴电流共同形成的。半导体的导电性能受温度影响较大。在本征半导体中掺入少量的其它合适元素，就构成杂质半导体，其导电性能得到很大改善，获得重要用途。例如在硅原子组成的共价键中掺入少量的三价硼原子，并与四周硅原子组成共价键时，自然形成一个空穴。这种半导体叫做空穴半导体或P型半导体。在硅单晶中掺入五价的磷，它与硅原子组成共价键时，多出一个电子，容易形成自由电子。这种半导体叫做电子半导体或N型半导体。P型半导体和N型半导体可以组成PN结，构成晶体二极管和三极管等。此外半导体对光的照射也很敏感。由它的热、光特性，可以做成许多其它半导体器件，如热敏、光敏半导体器件。 ☚ 磁电系电流表 空穴 ☛ 半导体 半导体Bandaoti导电性能介于导体和绝缘体之间的物体，如锗、硅、氧化铜、砷化钾等。半导体中参与导电的有自由电子和带正电的空穴。与金属和电解液的情况不同，半导体中杂质的含量以及外界条件的改变(如光照，或温度、压强的改变等)，都会使它的导电性能发生显著的变化。由于具有这些特点，半导体在电子技术和无线电技术中有着广泛的应用。例如利用铜、钴等金属氧化物烧结陶瓷的导电性能随温度升降而显著变化的特性，制成热敏电阻用于温度测量和补偿。硫化镉、硫化铅等半导体的导电性能随光照的强弱而显著变化，制成光敏电阻用于自动控制，红外遥感、电视和电影等设备中。 ☚ 绝缘体 超导体 ☛ 半导体导电性能介于金属和绝缘体之间的非离子性导电的物质。参见“物理”中的“半导体”。P-N结 P型半导体和N型半导体制做成一块半导体时，两者边界上形成的具有单向导电性质的区域。在这个区域中电子和空穴载流子耗尽，剩下杂质的正、负离子，故又称“耗尽区”或“空间电荷区”。P-N结是结型半导体器件的关键。
半导体导电性能介于金属和绝缘体之间非离子性导电的物质。一般是固体，如锗、硅及某些化合物等。参见“工程技术”中的“半导体”。 半导体电阻率介于金属和绝缘体之间且有负的电阻温度系数的物质。 半导体 半导体1917年，切克劳斯基发明了一种拉单晶技术——切克劳斯基技术。拉制过程是使晶体由熔在坩埚中的硅料中生长出来。另一种晶体生长技术是浮区熔融技术。它使窄熔融区朝着原来的多晶硅垂直棒的上方或下方运动。第三种晶体生长技术是所谓无坩埚拉单晶技术。它是在粗硅棒的顶端形成熔区，再由此熔池中结籽晶和拉出晶体，在一定程度上，它兼有切克劳斯基法和浮区熔融生长法特点的方式。
1930年，德国的里兰弗尔德获得他发明的一种器件的专利权。这种器件可以看作是现在的MOS场效应晶体管，或绝缘栅场效应晶体管。这个器件是作为一个硫化铜薄膜获得放大作用的方法而报道的。然而，当时未能做成一个能使用的器件，因为在这种材料空隙的迁移率很低，再加上其它的一些原因，似乎是完全限制了它的放大作用。
1935年，德国的海尔获得了一项英国专利。这个专利描述的器件就是绝缘栅单极场效应晶体管。1948年，美国的蒂尔和利特尔开始实验用直拉法生成锗单晶。他们在生长结构高度完整的大锗单晶方面获得了成功。他们还利用重复再结晶的方法改进了材料的杂质。在贝尔实验室，蒂尔与斯帕克斯一起工作，他们改进了拉制单晶的设备，使得在单晶生长的过程中可以控制所加的杂质，从而发明了一种制备P—N结的独特的方法。
1945年，美国的肖克莱组织了一个团体物理研究小组，在用实验检验肖克莱的想法时，发现按计划制作的放大器不像肖克莱所预言的那样工作，好像有什么东西阻止电场向半导体内部穿透。美国的巴丁系统地阐述了与造成这种电场难以穿透的半导体表面性质有关的理论，他还提出了关于半导体表面电气性质的其它预言。在进行旨在检验这些理论预言的实验中，美国的布拉坦和吉布尼发现，如果一个电场通过与半导体表面相接触的介质上的话，那么，这个电场将会穿透到半导体内部。美国的巴丁指出，在改进了的肖克莱放大器上加上一层电介质，流经与硅片接触的二极管的电流，将受加于接触点周围的介质上的电压的控制。在检验肖克莱理论的早期实验中，曾经使用了电特性低劣的薄膜。布拉坦试验了巴丁所建议的装置，并发现了巴丁预言的放大作用，但是，由于介质的原因，放大作用被限制在非常低的频率下。在锗器件中做的类似实验倒获得了成功，但是效应的符号与预言的相反。然后，布拉坦和巴丁在实验中用整流的金属接触点代替了介质发现，施加在这种金属接触点的电压对流经二极管接触点的电流，能在很小的程度上加以控制，效应的符号再一次地和预料中的相反的结果进行分析，使他们发明了点接触晶体管。这种晶体管的工作原理与原来设想的完全不同。流经其中一个接触点的电流，由流经第二个接触点的电流来控制，而不是受外加电场的控制。1948年，他们宣布了这个发明。点接触晶体管因有噪声及不能承受大功率的限制，其使用范围很小。
与此同时，肖克莱又提出了面接触型晶体管的概念，这种面接触型晶体管克服了上述缺点。目前绝大多数晶体管都是面接触型的。1949年，美国的奥尔和肖克莱在半导体器件的制造中引入了离子注入技术，以改善半导体的性质。1952年，美国的浦凡发明了一种重复正常的熔化和凝固作用的简单方法。这种方法在每次操作之间不必去触摸材料。这样可得到纯度非常高的材料，此种材料可以用拉晶技术生长成单晶。蒲凡还发明了区域熔匀化技术，使整个棒的杂质均匀分布。他在他的区域熔化设备中，利用籽晶技术生长了单晶。这种区域熔化技术和水平单晶生长技术相结合，在现在的晶体管制造过程中已经变成了标准。
1952年，美国的蒂尔和比勒在锗单晶的拉晶技术的基础之上发展了大的硅单晶制备技术和硅的P—N结的制造技术。1953年，美国的飞歌公司发明了喷射腐蚀技术。用这种工艺制造的主要产品是表面势垒晶体管，它使晶体管的频率上限推进到兆赫的范围。1953年，美国的凯克、埃梅兹和西莱尔共同发明了一种新颖的区域提纯技术一悬浮区域提纯法。1954年，美国的弗莱彻发明了交指型晶体管，1956年，美国的雷勒和赖斯发明了扩散工艺，使半导体的制造技术向前迈了一大步。1958年，美国的江畸发明了隧道二极管。1959年，美国的霍尼在仙童公司发展了一系列双扩散硅台面晶体管，霍尼不像传统的台面工艺那样将基极层置于集电极的顶上，而是将基区向下扩散而进入集电极内部去，而且在表面用一层扩散硼和磷的二氧化硅把基极一集电极结保护起来。这第一个平面晶体管比起台面晶体管来更不易损坏，而且更可靠，灰尘和其它外来物也不会污染被保护起来的P—N结。1959年仙童公司开始出售平面晶体管，而其后不久又把平面工艺用于新型的集成电路的制造当中去。半导体技术仍在不断发展，这为无线电及电子技术的发展奠定了基础。 ☚ 白炽灯 避雷针 ☛ 半导体 半导体1917年，切克劳斯基发明了一种拉单晶技术——切克劳斯基技术。拉制过程是使晶体由熔在坩埚中的硅料中生长出来。另一种晶体生长技术是浮区熔融技术。它使窄熔融区朝着原来的多晶硅垂直棒的上方或下方运动。第三种晶体生长技术是所谓无坩埚拉单晶技术。它是在粗硅棒的顶端形成熔区，再由此熔池中结籽晶和拉出晶体，在一定程度上，它兼有切克劳斯基法和浮区熔融生长法特点的方式。
1930年，德国的里兰弗尔德获得他发明的一种器件的专利权。这种器件可以看作是现在的MOS场效应晶体管，或绝缘栅场效应晶体管。这个器件是作为一个硫化铜薄膜获得放大作用的方法而报道的。然而，当时未能做成一个能使用的器件，因为在这种材料空隙的迁移率很低，再加上其他的一些原因，似乎是完全限制了它的放大作用。
1935年，德国的海尔获得了一项英国专利。这个专利描述的器件就是绝缘栅单极场效应晶体管。1948年，美国的蒂尔和利特尔开始实验用直拉法生成锗单晶。他们在生长结构高度完整的大锗单晶方面获得了成功。他们还利用重复再结晶的方法改进了材料的杂质。在贝尔实验室，蒂尔与斯帕克斯一起工作，他们改进了拉制单晶的设备，使得在单晶生长的过程中可以控制所加的杂质，从而发明了一种制备P—N结的独特的方法。
1945年，美国的肖克莱组织了一个团体物理研究小组，在用实验检验肖克莱的想法时，发现按计划制作的放大器不像肖克莱所预言的那样工作，好像有什么东西阻止电场向半导体内部穿透。美国的巴丁系统地阐述了与造成这种电场难以穿透的半导体表面性质有关的理论，他还提出了关于半导体表面电气性质的其他预言。在进行旨在检验这些理论预言的实验中，美国的布拉坦和吉布尼发现，如果一个电场通过与半导体表面相接触的介质上的话，那么，这个电场将会穿透到半导体内部。美国的巴丁指出，在改进了的肖克莱放大器上加上一层电介质，流经与硅片接触的二极管的电流，将受加于接触点周围的介质上的电压的控制。在检验肖克莱理论的早期实验中，曾经使用了电特性低劣的薄膜。布拉坦试验了巴丁所建议的装置，并发现了巴丁预言的放大作用，但是，由于介质的原因，放大作用被限制在非常低的频率下。在锗器件中做的类似实验倒获得了成功，但是效应的符号与预言的相反。然后，布拉坦和巴丁在实验中用整流的金属接触点代替了介质发现，施加在这种金属接触点的电压对流经二极管接触点的电流，能在很小的程度上加以控制，效应的符号再一次地和预料中的相反的结果进行分析，使他们发明了点接触晶体管。这种晶体管的工作原理与原来设想的完全不同。流经其中一个接触点的电流，由流经第二个接触点的电流来控制，而不是受外加电场的控制。1948年，他们宣布了这个发明。点接触晶体管因有噪声及不能承受大功率的限制，其使用范围很小。
与此同时，肖克莱又提出了面接触型晶体管的概念，这种面接触型晶体管克服了上述缺点。目前绝大多数晶体管都是面接触型的。1949年，美国的奥尔和肖克莱在半导体器件的制造中引入了离子注入技术，以改善半导体的性质。1952年，美国的浦凡发明了一种重复正常的熔化和凝固作用的简单方法。这种方法在每次操作之间不必去触摸材料。这样可得到纯度非常高的材料，此种材料可以用拉晶技术生长成单晶。浦凡还发明了区域熔化技术，使整个棒的杂质均匀分布。他在他的区域熔化设备中，利用籽品技术生长了单晶。这种区域熔化技术和水平单晶生长技术相结合，在现在的晶体管制造过程中已经变成了标准。
1952年，美国的蒂尔和比勒在锗单晶的拉晶技术的基础之上发展了大的硅单晶制备技术和硅的P—N结的制造技术。1953年，美国的飞歌公司发明了喷射腐蚀技术。用这种工艺制造的主要产品是表面势垒晶体管，它使晶体管的频率上限推进到兆赫的范围。1953年，美国的凯克、埃梅兹和西莱尔共同发明了一种新颖的区域提纯技术——悬浮区域提纯法。1954年，美国的弗莱彻发明了交指型晶体管，1956年，美国的雷勒和赖斯发明了扩散工艺，使半导体的制造技术向前迈了一大步。1958年，美国的江畸发明了隧道二极管。1959年，美国的霍尼在仙童公司发展了一系列双扩散硅台面晶体管，霍尼不像传统的台面工艺那样将基极层置于集电极的顶上，而是将基区向下扩散而进入集电极内部去，而且在表面用一层扩散硼和磷的二氧化硅把基极一集电极结保护起来。这第一个平面晶体管比起台面晶体管来更不易损坏，而且更可靠，灰尘和其他外来物也不会污染被保护起来的P—N结。1959年仙童公司开始出售平面晶体管，而其后不久又把平面工艺用于新型的集成电路的制造当中去。半导体技术仍在不断发展，这为无线电及电子技术的发展奠定了基础。 ☚ 白炽灯 避雷针 ☛ 半导体 半导体半导体的特性介于导体和绝缘体之间。常见的半导体有锗、硅、氧化铜等。 ☚ 绝缘体 电流 ☛ 半导体 半导体导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。如锗、硅以及某些化合物，一般是具有非离子导电性能的固体。完全纯净并且内部结构完整的半导体称本征半导体。它在温度T=OK时没有导电作用。含少量杂质，内部结构不甚完整的半导体称杂质半导体。这种半导体中的空穴数目多于自由电子数的称P型半导体；反之则称为n型半导体。利用半导体导电性能随温度升高而迅速增加，并随所含不同数量的杂质而发生显著变化的特性制成半导体器件。小型化、集成化是半导体科学技术发展中非常突出的特征。 ☚ 四A革命 机器人革命 ☛ 半导体semi-conductor 半导体semiconductor
～集成电路semiconductor integrated circuit;semiconductor IC /～收音机transistor radio(or receiver)/～装置semiconductor device |