T005641　电子材料与器件失效分析显微组织图谱

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《电子材料与器件失效分析显微组织图谱》编审组编。

中国标准出版社1985年12月版。48万字。

分电真空部分、半导体部分两篇，其中电真空所使用的材料等14章，半导体材料和半导体器件失效分析2章，共16章。本图谱有用光学显微镜、超高压透射电子显微镜、扫描电子显微镜、红外显微镜、X射线形貌分析仪等拍摄的各种类型的显微组织照片，共1323张。作者认为，长寿命、高可靠和优良性能的电子器件与材料的微观组织、结构分布和器件的失效机理有著密切的关系。因此，总结和推广电子材料与器件的微观结构和失效机理分析方面的经验及成果，对于提高器件的成品率、可靠性和促进电子技术的高速发展，都具有重要的意义。

附录中列有有关的常用相图和腐蚀液成分。