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1988年，天津大学胡宗民等采用国产硫化镉原料和真空蒸发技术，研制成功光敏陶瓷电阻，光谱峰值560纳米，耗散功率50毫瓦，作为照相机国产化电子元器件，其性能达国际先进水平。
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