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低成本电化学合成高分子量聚锗烷
高分子量聚锗烷制自电化学聚合(R2Ge)mX2,以镁或镁合金作为阳极,锂盐作为阴极;以非质子溶剂作为电解质。先制成卤素为端部的聚锗烷,再添加RGeX3,和/或GeX4,使混合物聚合,从而可以低成本地制得高分子量聚锗烷。
例如,使C12Ge·C4H9·C6H5在四氢呋喃中电化学聚合,以氯化锂为阴极,镁为阳极。聚合产品的重均分子量为5200。
添加C6H5GeCl3,再使混合物聚合得聚锗烷,其重均分子量为15300。此聚锗烷可用于电子工业。
(日本特许公开07-316304)
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