砷化镓

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Ⅱ—V族化合物半导体。

20世纪60年代开始大力研究，目前已比较成熟，应用很广。砷化镓具有其独特的半导体性能，如禁带宽度大，少数载流子寿命短等，因而是制作高温、抗辐射、低噪音器件的较好材料。

它区别于硅的最优异的特性主要集中在下面两点：
❶ 砷化镓半导体中电子的运动速度要比硅或锗中的大得多，因而它在高速运算或快速动作的器件中有相当重要的地位，用它可制成能跟上高速度变化电信号的微波集成电路；
❷ 用这种材料制成p－n结，若分别在p区、n区上加正、负偏压，它就会强烈发光，一但电流超过阈值，就开始激光振荡并放射出具有相干性的激光，因此可用它制作发光二极管、高效率激光器、微波功率器件、太阳能电池以及红外光源等。目前已能用砷化镓单晶制作小、中规模集成电路。

大规模高速集成电路是砷化镓今后施展才能的主要领域。