电子束曝光装置

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用从电子枪中射出的电子束在光致抗蚀剂上画出半导体元件的线路图形的装置。

目前制作集成电路和大规模集成电路的线路图形是采用光刻(光曝光)方法，但这种方法所能描绘的最细线宽为2微米，因此不能制作线宽为2微米以下的图形。现在正在研制中的超大规模集成电路的图形线宽一般是在1微米以下。

因为电子束的波长非常短，在光的一千分之一以下，所以电子束曝光装置在制作超大规模集成电路的微细加工技术中成为不可缺少的装置。

许多国家都正在研制这种装置。