林兰英

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【介绍】：

中国科学院学部委员。

半导体物理学家。女，1917年12月出生，福建莆田人。中国科学院半导体研究所研究员。1940年福建协和大学物理系毕业，1951年获美国宾夕法尼亚州大学硕士学位，1955年又获该校博士学位。

主要贡献：对我国半导体材料科学的发展，特别是对锗、硅和砷化镓单晶的制备及性质的研究，作出了重要的贡献。半导体材料物理作为半导体科学的一个基础学科，为研制我国的半导体器件提供了良好的保证。

我国半导体器件从60年代的硅平面管到硅光电池，又到近年的硅集成电路，砷化镓激光器，各种微波器件等，都是由于发展了半导体材料的结果。我国半导体材料从无到有，从锗、硅到砷化镓及其一些化合物半导体材料，整个发展过程都与其积极组织和指导这方面的工作分不开的。

主要著述：《氯化钾的辐射引起缺陷的研究》、《锑化铟单晶中位错的散射机理的研究》、《锑化铟的热处理机理的研究》、《砷化镓单晶高场电学性能的研究》、《硅的欧姆接触的制备》、《锗和硅的载流子抽出的电极的制备》等，后两项在美国被列为专利。