半导体三极管

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半导体三极管简称晶体管或三极管，

1．4．1 三极管的结构

三极管的结构，目前最常见的有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。三极管分为NPN型和PNP型两类，当前国产硅晶体管多数为NPN型(3D系列)，锗晶体管多为PNP型(3A系列)，三极管的结构和符号见表8．3－5。

表8．3－5 三极管的结构和符号

a)载流子运动 b)电流分配NPN型晶体管，发射区中的多数载流子(电子)在正向电压作用下，不断通过发射结扩散到基区，形成发射极电流I_E，其方向与电子运动方向相反。由于基区很薄，到达基区的电子绝大多数很容易穿过基区而到达集电结，被集电区收集，构成集电极电流Ic，只有很少部分电子与基区的空穴复合形成基极电流I_B．当I_B增大或减小时，I_c也按一定比例增大或减小．可见，I_B的微小变化，即可引起I_c有较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。实质上，三极管的电流放大作用就是三极管的电流控制作用或电流分配作用。

PNP型三极管的电流放大原理与NPN型三极管相同，只是电压的极性和电流方向与NPN型三极管相反。

三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。当三极管发射结和集电结的偏置电压的极性不同时，三极管的工作状态将发生变化。其中放大状态起放大作用，截止和饱和状态起开关作用。三极管三种工作状态的特点见表8．3－6。

表8．3－6 三极管三种工作状态的特点

a)输入特性曲线 b)输出特性曲线

半导体三极管主要参数的名称、符号和意义如表8．3－7。几种常用半导体三极管的型号和参数见表8。3－8和8．3－9。

表8．3－7 三极管主要参数的名称、符号和意义

注：本章采用下述符号规则：大写字母大写下标代表静态量，小写字母小写下标代表微变量，大写字母小写下标代表交流微变量的有效值，小写字母大写下标代表交直流总量。

表8．3－9 3AX31型PNP锗合金低频小功率三极管