锑化铟单晶研制

1980年，八三五八所朱明华研制成功高纯锑化铟单晶。其剩余杂质浓度为0.8～2.0×10¹⁴/立方厘米，电子迁移率(6～8)×10⁵平方厘米/伏·秒(77K)，位错密度10³/平方厘米。其中剩余杂质浓度、电子迁移率达到同期国际先进水平。1986年，又研究成功低位错锑化铟单晶，位错密度<100/平方厘米，达到同期国际水平；其它性能与高纯锑化铟单晶相同，实现材料高纯性、高完整性。同年，该所徐向东研制成功P型锑化铟单晶，其杂质浓度为(2～7)×10¹⁵/平方厘米(77K)，电子迁移率>5000平方厘米/伏·秒，位错密度<100/平方厘米。上述3项研究分获国防科工委、航天部科技进步二等奖。1990年，徐向东完成锑化铟单晶电阻率和霍尔参数测量方法GB11297—6研究，填补国内空白。