晶体二极管jingti erjiguan

由一个PN结加上相应的引线和管壳做成的半导体器件，分点接触型二极管和面接触型二极管。二极管的特性由加到二极管两端的电压和通过二极管电流之间的关系曲线——二极管伏安特性曲线所表征。二极管的符号和其伏安特性曲线如图示。由伏安特性曲线可以看到二极管有如下特性：
❶正向特性。给二极管加以正向电压，二极管中流有正向电流。但当正向电压还比较小时，外电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，二极管呈现较大电阻，正向电流较小；当正向电压超过一定数值以后，内部电场被大大削弱，二极管呈现较小电阻，于是电流增长很快，如图中的ad段所示。二极管允许的正向最大电流称为最大整流电流，是二极管的一个重要参数，使用时不得大于此值，否则将损坏该二极管。
❷反向特性，给二极管加以反向电压，由于P区和N区中的少数载流子在反向电压作用下容易通过PN结形成反向电流。由于少数载流子数目有限，在一定反向电压内，反向电流基本不随反向电压变化，如图中的oc段。反向电流是二极管的另一个重要参数，反向电流大，表明该二极管单向导电性能差。
❸反向击穿电压，当反向电压增加超过某一值后，反向电流突然增大，出现所谓反向击穿现象，图中的c点所示。起因于外加强电场强制地把外层电子拉出，使载流子数目急剧上升，这个电压叫做反向击穿电压。电子器件手册给出的二极管最高反向工作电压，通常是击穿电压的一半，以防止反向击穿而损坏。
❹二极管的工作频率。二极管的PN结相当于一个电容，叫做阻挡层电容，又称结电容，由于结电容的存在，高频电能从结电容通过，因而使高频二极管失去了单向导电性。因此，二极管有一个最高工作频率，点接触型二极管结电容小，因此工作频率高，但允许通过的电流不大，用于小电流整流和高频检波。面结型二极管工作频率低（结电容大），但允许通过大的正向电流，用于低频大功率整流。
❺伏安曲线还随温度不同而变化。

晶体二极管Jingti erjiguan

亦称为“半导体二极管”。一种由半导体材料制成的，具有单向导电特性的两极器件。早期的半导体二极管是用金属丝尖端能在半导体晶片上制成的，称为点接触二极管，通常在较高的频率范围内作检波、混频器用。目前大多数的晶体二极管都是面结型的，它是由半导体晶片上形成的P—N结组成，或由金属同半导体接触组成。P—N结的基本特征是它的单向导电性，即电流只能由正极流向负极，而不能从负极流向正极。把晶体二极管的正极引线接电池正极，负极引线接电池的负极，这时加在晶体二极管上的电压叫正向电压；若把正极引线接电池负极、负极引线接电池的正极，这个电压叫反向电压。晶体二极管加正向电压，处于导通状态，二极管中流有正向电流，正向电流随正向电压而变化。二极管允许的正向最大电流为最大整流电流，是二极管的一个重要参数，使用时不得大于此值，否则将会损坏该二极管。给二极管加反向电压，二极管中形成反向电流，在一定反向电压内，反向电流基本不随反向电压变化。反向电流是二极管的另一个重要参数。反向电流大，表明该二极管的单向导电性差。当加的反向电压超过某一值后，反向电流突然增加，会出现所谓反向击穿现象这个电压叫做反向击穿电压。电子器件手册给出的二极管最高反向工作电压，通常是击穿电压的一半，以防止反向击穿而损坏。
晶体二极管的种类很多，按材料分：有硅二极管、锗二极管、金属—半导体二极管；按工作原理分有：隧道二极管、变容二极管、发光二极管、雪崩二极管；按用途分有：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、混频二极管等。

晶体二极管

diode transistor