T005804　微波场效应晶体管的理论、设计和应用

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[英]S．雷蒙德、潘杰利著。

李章华等译。电子工业出版社1987年7月版。48．7万字。共11章。介绍GaAs FET的基本理论，包括小信号理论、噪声、非线性、控制特性以及功率型FET大信号理论、功率FET器件性能等；详述GaAs的技术要求和材料制备以及器件的制造方法；分别叙述晶体放大器、场效应晶体管混频器、砷化钾场效应晶体管振荡器设计，这些器件包括低噪声小信号放大器、窄带放大器、宽带放大器、功率放大器、反射放大器、GaAs FET混频器、双栅混频器、双栅FET倍频器、稳频振荡器、介质谐振器、变容管调谐FET振荡器、电调谐GaAs FET振荡器、YIG调谐GaAs FET振荡器、脉冲射频振荡器等；讨论FET在诸如开关和移相器等电路中的应用，场效应晶体管成为GaAs集成电路有源元件，单片微波模拟和数字电路中都含有常通耗尽型和常断增强型MESFET的情况，线性和数字集成电路采用的技术和进展；概述磷化铟、三元和四元合金材料以及金属绝缘半导体场效应晶体管和绝缘栅场效晶体管以及穿通基区晶体管的概念等。