photoengraving光刻

平面型晶体管和集成电路生产中的一项主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。其主要步骤如下：1.涂布光致抗蚀剂（或称光刻胶）;2.掩模板套准并曝光；3. 用显影液溶去感光的光刻胶；4.用腐蚀液去除无光刻胶保护部分的二氧化硅；5. 去除光刻胶。光刻工艺不仅可为定域扩散开出所需的扩散窗孔，而且也可用来制作集成电路的金属互连图案。