LC—4型700kev高能离子注入机

该项目由机械电子工业部第四十八研究所的屈保春、邓星茂等研制完成。该机采用先分析后加速的方法，具有两条束流管道，两个靶室(高低温靶室、常温靶室)的设计，因此能量范围较宽，可进行全元素掺杂。该机研制成功为我国新型硅器件、化合物半导体器件、化合物集成电路、磁泡器件、发光器件和光接收器件等的研究提供了非常重要的手段，可广泛应用于光集成、发光材料、金属材料、绝缘材料和超等材料等方面的研究。该机的能量和束流强度达到国外同类机型的先进水平，1990年获国家科技进步二等奖。